什么是「服务型」游戏（GaaS）？ - 知乎
GaaS（服务型游戏）其实并不算一个新鲜概念，本意指的是一种游戏商业模式：在产品本体上线后，在后续的运营中不断推出更新内容，刺激玩家一直游玩并消费，将游戏从传统的「一次性 …
半导体的直接带隙和间接带隙区别是什么？ - 知乎
Mar 28, 2025 · 半导体的 直接带隙 和 间接带隙 的主要区别在于电子跃迁时动量的变化情况。 在直接带隙半导体中，价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点，电子跃迁到导带时，只 …
GaN与GaAs芯片各自的优缺点是什么呢？ - 知乎
GaAs前景依然 GaAs供应链调研显示，IDM、Epihouse（外延公司）和代工厂在2021第1季度报告了强劲的收入，直接反映了市场动态。 随着5G手机从2020第4季度在智能手机市场的渗透不 …
可以介绍下2DEG的原理吗？ - 知乎
Nov 18, 2024 · 带隙工程和能带弯曲：在半导体异质结中，例如GaAs和AlGaAs之间的界面，由于能带结构的不同，电子会从导带较高的材料（如AlGaAs）转移到导带较低的材料（ …
什么是「服务型」游戏（GaaS）？ - 知乎
Gaas游戏团队规模 做Gaas游戏的公司，在团队架构和工作模式上，与传统单机游戏有很大不同。 单机游戏的开发团队规模通常比较小，一般在10到50人之间。 这些团队各司其职，组成成员 …
知乎盐选 | 7.1 半导体光电器件
在 p-GaAs 层中，注入电子与空穴复合并自发发射出光子。 因为，A1GaAs 材料的带隙 Eg 远大于 GaAs 材料的带隙 Eg，所以，辐射光子不会重新被吸收，光子逸出有源层并到达器件表面。
异质结导致的二维电子气为什么可以显著提高迁移率？ - 知乎
由于GaAs导带底比Ga1-xAlxAs的导带底低，高掺杂的n型层Ga1-xAlxAs中的电子转移到GaAs的导带中，使高纯的GaAs具有高电子浓度。 而高纯的GaAs中电离杂质散射中心很少，故在低温 …
知乎盐选 | 11.7 量子结构红外光探测器
GaAs/AlGaAs 量子阱光电检测器的原理，简单说来，就是一个光（电）导体，其中红外灵敏材料是量子阱结构，吸收光子后产生的电子跃迁发生在量子阱内的子能带之间，此能带间隔的能量差 …
第二代及第三代半导体发展前景如何？ - 知乎
第二代半导体材料是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领 …
GaAs衬底，在通过溅射TiPtAu制备 N面欧姆电极后，在显微镜下发 …
金属-半导体界面反应：某些金属层（如镀金层）与GaAs在高温或非理想条件下，可能发生反应，生成非导电或黑色的化合物或相沉积。 影响： 生成的反应产物（如Ga-或As-rich相、氧化 …